フォトレジストおよびエッチング残渣の除去方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 村松貞男 , 橋本良郎
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003586925
Publication number (International publication number)：2005523585
Application date： Jan. 17, 2003
Publication date： Aug. 04, 2005
Summary：

【課題】フォトレジスト及びエッチング残渣の除去方法【解決手段】方法は、プラズマアッシングに対し先行する誘電層のプラズマエッチングの間形成されたフォトレジスト残り及びエッチング残渣を取り除くことを提供する。アッシング方法は、水素含有ガスを含み、基板からフォトレジスト残りとエッチング残渣のかなりの量を除去するため低バイアスもしくはゼロバイアスを基板に印加する第1のクリーニングステップと、加えてチャンバ表面からの不利益なフルオロカーボン残渣をエッチングし除去する2ステッププラズマを使用する。増加されたバイアスは、フォトレジストの残りと、エッチング残渣を基板から除去するために第2のクリーニングステップにおいて基板に印加される。2ステッププロセスは、従来の1ステップアッシングプロセスに共通に観察されるメモリー効果を減らす。終点検出の方法は、アッシングプロセスをモニタするのに使用できる。

Claim (excerpt)：

水素含有ガスを含むプロセスガスを導入することと、プラズマプロセスチャンバ内にプラズマを生成することと、基板ホルダ上に載置した基板を前記プラズマにさらすことと、前記基板ホルダに、第1のバイアスを印加することにより第1のアッシングステップを行うことと、前記基板ホルダに、前記第1のバイアスより高い第2のバイアスを印加することにより第2のアッシングステップを行うことと、を具備するその場アッシングの方法。

IPC (2)：

H01L21/3065 , H01L21/304

FI (2)：

H01L21/302 104H , H01L21/304 645C

F-Term (15)：

5F004AA09 , 5F004AA15 , 5F004BD01 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004CA06 , 5F004CB02 , 5F004CB15 , 5F004DA00 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DB26 , 5F004EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

アッシング装置およびアッシング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-082428 Applicant：日本電気株式会社
レジスト除去装置及びその使用方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-251734 Applicant：住友金属工業株式会社
プラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-276912 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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