プラズマCVD装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中島司朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997358855
Publication number (International publication number)：1999191555
Application date： Dec. 26, 1997
Publication date： Jul. 13, 1999
Summary：

【要約】【課題】極めて容易に作製できる耐久性に優れた異常放電の発生がないプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】内壁面にポリイミド又はポリベンゾイミダゾールの被膜10aを所定の厚みに形成したアルミニウム製の反応容器を備えたCVD装置である。

Claim (excerpt)：

プラズマCVD装置において、非絶縁性部材で形成された反応容器の内壁面の角部に熱硬化性ポリイミド又は熱硬化性ポリベンゾイミダゾールの絶縁性の膜が形成されていることを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (5)：

H01L 21/31 , C23C 16/44 , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/3065

FI (5)：

H01L 21/31 C , C23C 16/44 B , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-217810 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロンエフイー株式会社
処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-296288 Applicant：東京エレクトロン株式会社
多層配線構成体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-185896 Applicant：東レ株式会社

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