Pat
J-GLOBAL ID：200903085289511785

ポジ型レジスト積層物

Inventor：
安波 昭一郎

About 安波 昭一郎


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (1)： 萩野 平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999331568
Publication number (International publication number)：2001147538
Application date： Nov. 22, 1999
Publication date： May. 29, 2001
Summary：
【要約】【課題】 半導体デバイスの製造において、遠紫外領域の露光に対応し得、高い解像力を有するポジ型レジスト積層物を提供すること、また、特に0.2μm以下の微細なライン/スペースにおいて、ラインうねりの少ないレジストパターンを与え、更に現像残査の発生量の少なく、高い製造適性を有するポジ型レジスト積層物を提供すること。【解決手段】基板上に第1レジスト層及びこの層上に第2レジスト層を有するポジ型レジスト積層物であって、〔I〕第1レジスト層が、特定の繰返し単位を含むポリマーを含有し、且つ熱により硬化する層であり、〔II〕第2レジスト層が、(b)酸により分解しうる基を有し、かつアルカリ現像液中での溶解度が酸の作用により増大する性質のあるポリシロキサン又はポリシルセスキオキサン、及び(c)活性光線もしくは放射線の照射により酸を発生する化合物、を含有することを特徴とするポジ型レジスト積層物。
Claim (excerpt)：
基板上に第1レジスト層及びこの層上に第2レジスト層を有するポジ型レジスト積層物であって、〔I〕第1レジスト層が、(a-1)下記一般式(1)で表される繰返し単位を含むポリマーを含有し、且つ熱により硬化する層であり、〔II〕第2レジスト層が、(b)酸により分解しうる基を有し、かつアルカリ現像液中での溶解度が酸の作用により増大する性質のあるポリシロキサン又はポリシルセスキオキサン、及び(c)活性光線もしくは放射線の照射により酸を発生する化合物、を含有することを特徴とするポジ型レジスト積層物。【化1】式中、R1は水素原子、アルキル基、又はハロゲン原子を表し、L1、L2は、各々独立に、2価の連結基を表し、Mは芳香族基を表し、a、b、cは、各々独立に、0又は1を表す。
IPC (4)：
G03F 7/075 511 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/095 ,  G03F 7/26 511
FI (4)：
G03F 7/075 511 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/095 ,  G03F 7/26 511
F-Term (29)：
2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BC53 ,  2H025BC78 ,  2H025BC86 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BF30 ,  2H025BG00 ,  2H025CB33 ,  2H025CB43 ,  2H025CB45 ,  2H025DA13 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096BA11 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096GA37 ,  2H096KA06 ,  2H096KA18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM