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J-GLOBAL ID:200903061512047704

ポジ型シリコーンレジスト材料

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中本 宏 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994187885
Publication number (International publication number):1996029987
Application date: Jul. 19, 1994
Publication date: Feb. 02, 1996
Summary:
【要約】【目的】 高感度、高解像性、プロセス適用性に優れた化学増幅型シリコーン系ポジレジスト材料を提供する。【構成】 一般式(化1):【化1】(x+m=1、x≠0、n:1〜3)で表されるシリコーンポリマー(A)、オニウム塩(B)、及び窒素含有化合物(C)を含有するポジ型シリコーンレジスト材料。更にラダー型ポリシロキサン(D)を含有していてもよい。(C)の好例には芳香族アミンがある。
Claim (excerpt):
下記一般式(化1):【化1】(式中x、mはx+m=1となる数であり、xが0になることはない。またnは1〜3の正の整数である)で表されるシリコーンポリマー(A)、オニウム塩(B)の2成分を含む、アルカリ水溶液で現像可能な高エネルギー線感応ポジ型レジスト材料において、窒素含有化合物(C)が添加されていることを特徴とするポジ型シリコーンレジスト材料。
IPC (6):
G03F 7/075 511 ,  G03F 7/075 521 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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