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J-GLOBAL ID：200903085443246410

強誘電体メモリトランジスタおよびその製造方法

Inventor：
シェン テン スー

About シェン テン スー

, 
フェンヤン ツアン

About フェンヤン ツアン

, 
ティンカイ リー

About ティンカイ リー


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (3)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003054878
Publication number (International publication number)：2004015047
Application date： Feb. 28, 2003
Publication date： Jan. 15, 2004
Summary：
【課題】リーク電流にともなうトランジスタのメモリ保持特性が劣化しない不揮発性強誘電体メモリデバイスを提供すること。【解決手段】本発明による強誘電体メモリトランジスタは、ソース領域、ゲート領域およびドレイン領域を有する基板と、ゲート領域上に位置するゲートスタックと、基板とゲートスタック上に位置するパッシベーション酸化物層と、ソース領域、ドレイン領域およびゲートスタックそれぞれへのコンタクトを形成するためのメタライゼーションとを備える。ゲートスタックは、第1のHigh-kカップと第2のHigh-kカップとを含むHigh-k絶縁体素子と、High-k絶縁体素子にカプセル化された強誘電体素子と、High-k絶縁体素子の上部に位置する上部電極とを含む。【選択図】 図4
Claim (excerpt)：
ソース領域、ゲート領域およびドレイン領域を有する基板と、 該ゲート領域上に位置するゲートスタックと、 該基板と該ゲートスタック上に位置するパッシベーション酸化物層と、 該ソース領域、該ドレイン領域および該ゲートスタックそれぞれへのコンタクトを形成するためのメタライゼーションと を備えた強誘電体メモリトランジスタであって、 該ゲートスタックは、 第1のHigh-kカップと第2のHigh-kカップとを含むHigh-k絶縁体素子と、 該High-k絶縁体素子にカプセル化された強誘電体素子と、 該High-k絶縁体素子の上部に位置する上部電極と を含む、強誘電体メモリトランジスタ。
IPC (4)：
H01L27/105 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792
FI (2)：
H01L27/10 444A ,  H01L29/78 371
F-Term (15)：
5F083FR06 ,  5F083GA21 ,  5F083JA02 ,  5F083JA12 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083PR40 ,  5F101BA62 ,  5F101BB02 ,  5F101BD02 ,  5F101BF02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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