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J-GLOBAL ID：200903085635271435

ショットキーバリアダイオード及びダイオードアレイ

Inventor：
柳原 学

About 柳原 学

, 
上本 康裕

About 上本 康裕

, 
田中 毅

About 田中 毅

, 
上田 大助

About 上田 大助


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (10)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004340531
Publication number (International publication number)：2006156457
Application date： Nov. 25, 2004
Publication date： Jun. 15, 2006
Summary：
【課題】耐圧が高く且つオン抵抗が低い上に、チップ面積が小さいショットキーバリアダイオード及びダイオードアレイを実現できるようにする。【解決手段】導電性のシリコン基板2の上にバッファ層3と、アンドープの窒化ガリウムである第1の半導体層4と、アンドープのアルミニウム窒化ガリウムである第2の半導体層5とが順に形成されている。第2の半導体層5の上には、ショットキー電極6とオーミック電極7とが互いに間隔をおいて形成されている。第2の半導体層5と第1の半導体層4とバッファ層3とを貫通して、n+-Si基板2に達するビア8が形成されており、オーミック電極7とn+-Si基板2とは電気的に接続されている。n+-Si基板2の裏面には裏面電極1が形成されており、オーミック電極7は基板2の裏面に引き出されている。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半導体基板の上にバッファ層を介在させて順次形成された第1の半導体層及び第2の半導体層と、 前記第2の半導体層の上に互いに間隔をおいて形成されたショットキー電極とオーミック電極と、 前記半導体基板の裏面に形成された裏面電極とを備え、 前記ショットキー電極又はオーミック電極は、少なくとも前記バッファ層を貫通するビアを介在させて前記裏面電極と電気的に接続されていることを特徴とするショットキーバリアダイオード。
IPC (7)：
H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/41 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04
FI (6)：
H01L29/48 F ,  H01L29/48 D ,  H01L29/48 P ,  H01L29/44 P ,  H01L21/88 J ,  H01L27/04 A
F-Term (45)：
4M104AA01 ,  4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD08 ,  4M104DD34 ,  4M104DD64 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104FF02 ,  4M104FF11 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104GG03 ,  4M104GG13 ,  4M104HH20 ,  5F033GG02 ,  5F033HH08 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ18 ,  5F033KK13 ,  5F033KK17 ,  5F033MM21 ,  5F033MM30 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ41 ,  5F033QQ46 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033TT07 ,  5F038AV04 ,  5F038CA02 ,  5F038CA06 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (7)
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