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J-GLOBAL ID：200903044799884820

シヨットキバリアダイオード及びその製造方法

Inventor：
大塚 康二

About 大塚 康二

, 
杢 哲次

About 杢 哲次


Applicant, Patent owner：
サンケン電気株式会社

About サンケン電気株式会社


Agent (1)： 高野 則次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001248737
Publication number (International publication number)：2003060212
Application date： Aug. 20, 2001
Publication date： Feb. 28, 2003
Summary：
【要約】【課題】GaN系シヨットキバリアダイオ-ドの低コスト化が困難であった。【解決手段】 シリコンから成る基板1の上にAlNから成る第1の層8とGaNから成る第2の層9とを交互に複数積層した構造のバッファ層2を設ける。バッファ層2の上シヨットキバリアダイオ-ド用の窒化ガリウム半導体領域3を形成する。
Claim (excerpt)：
窒化物系化合物半導体を用いたシヨットキバリアダイオードであって、不純物を含むシリコン又はシリコン化合物から成り且つ低い抵抗率を有している基板と、前記基板の一方の主面上に配置されバッファ層と、前記バッファ層の上に配置された窒化物系化合物半導体領域と、前記半導体領域の表面にシヨットキバリア接触された第1の電極と、前記基板の他方の主面にオーミック接触された第2の電極とを備え、前記バッファ層は、化学式 Al<SB>x</SB>M<SB>y</SB>Ga<SB>1-x-y</SB>Nここで、前記Mは、In(インジウム)とB(ボロン)とから選択された少なくとも1種の元素、前記x及びyは、 0<x≦1、0≦y<1、x+y≦1、を満足する数値、で示される材料から成る第1の層と、化学式 Al<SB>a</SB>M<SB>b</SB>Ga<SB>1-a-b</SB>Nここで、前記MはIn(インジウム)とB(ボロン)とから選択された少なくとも1種の元素、前記a及びbは、 0≦a≦1、0≦b<1、a+b≦1を満足させる数値、で示される材料とから成る第2の層との複合層とから成ることを特徴とするシヨットキバリアダイオード。
IPC (4)：
H01L 29/872 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04
FI (3)：
H01L 21/205 ,  H01L 29/48 H ,  H01L 27/04 A
F-Term (26)：
4M104AA04 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104CC03 ,  4M104DD99 ,  4M104GG03 ,  5F038AV05 ,  5F038AV20 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045BB08 ,  5F045DA53 ,  5F045EB13 ,  5F045EE12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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