研磨方法及びそれを用いた研磨装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高梨幸雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997169557
Publication number (International publication number)：1999003877
Application date： Jun. 10, 1997
Publication date： Jan. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】化学的機械的研磨で半導体デバイスの表面の平坦化を図る際、研磨終了点を適切に判断し、良好に平坦化された半導体デバイスが得られる研磨方法及びそれを用いた研磨装置を得ること。【解決手段】基板面に設けた膜層の表面を研磨手段で双方を相対的に駆動させて研磨する研磨方法において、該膜層の表面上の所定位置を検出する位置検出工程、光源からの瞬間光を該所定位置に照射し、該所定位置からの光束を受光素子で検出することにより、該所定位置の膜厚の絶対値を測定する第1測定工程、該第1測定工程で得られた測定値を用いて該膜層の膜厚分布を求める膜厚分布測定工程、該膜厚分布測定工程で得られたデータより研磨を続行するか否かを制御する制御工程とを含むこと。

Claim (excerpt)：

基板面に設けた膜層の表面を研磨手段で双方を相対的に駆動させて研磨する研磨方法において、該膜層の表面上の所定位置を検出する位置検出工程、光源からの瞬間光を該所定位置に照射し、該所定位置からの光束を受光素子で検出することにより、該所定位置の膜厚の絶対値を測定する第1測定工程、該第1測定工程で得られた測定値を用いて該膜層の膜厚分布を求める膜厚分布測定工程、該膜厚分布測定工程で得られたデータより研磨を続行するか否かを制御する制御工程とを含むことを特徴とする研磨方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 321 , H01L 21/304 , B24B 37/04

FI (3)：

H01L 21/304 321 M , H01L 21/304 321 E , B24B 37/04 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

CMP用研磨装置及びCMP用装置システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-187379 Applicant：株式会社ニコン
半導体基板の平坦化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-037627 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体装置の製造方法および製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-187155 Applicant：株式会社東芝

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