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J-GLOBAL ID：200903085945582945

不揮発性メモリデバイスおよびその製造方法

Inventor：
藤原 一郎

About 藤原 一郎


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005028909
Publication number (International publication number)：2006128593
Application date： Feb. 04, 2005
Publication date： May. 18, 2006
Summary：
【課題】窒化膜の局部に注入され格納されている電荷の再分布により、高温データ保持特性の低下が生じ、これが低電圧化の障害となっている。【解決手段】本発明は、一方または双方のソース・ドレイン領域17D(および17S)側の窒化膜12Bの局部にホットエレクトロンを注入することにより、メモリトランジスタ10にデータを記憶する不揮発性メモリデバイスに関する。このデバイスにおいて、窒化膜12Bの膜質評価規格として、シリコンと水素の結合基(Si-Hボンド)の密度を、1×1021cm-3以下、または、窒化膜12Bの波長240nmの紫外領域での消光係数が0.10以下あるいは波長230nmの紫外領域での消光係数が0.14以下とする。あるいは、光学的エネルギー、発光スペクトルのピーク波長またはピークエネルギーにより窒化膜12Bの膜質評価規格を規定する。これらの膜質評価規格の何れかを満足すると、高温データ保持時でもデータ保持特性の低下を抑制することができる。 【選択図】図2
Claim (excerpt)：
半導体基板に形成されている2つのソース・ドレイン領域と、当該2つのソース・ドレイン領域間でチャネルが形成される半導体領域とゲート電極との間に積層され内部に電荷を保持する窒化膜を含む複数の絶縁膜と、をメモリトランジスタごとに備え、一方または双方の前記ソース・ドレイン領域側で前記窒化膜の局部に高エネルギー電荷を注入することにより前記メモリトランジスタのデータ記憶状態を変化させる不揮発性メモリデバイスであって、 前記窒化膜のシリコンと水素の結合基(Si-Hボンド)の密度が1×1021cm-3以下である 不揮発性メモリデバイス。
IPC (5)：
H01L 21/824 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/115
FI (3)：
H01L29/78 371 ,  H01L21/318 M ,  H01L27/10 434
F-Term (45)：
5F058BA20 ,  5F058BC11 ,  5F058BD01 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BJ01 ,  5F083EP18 ,  5F083EP22 ,  5F083EP63 ,  5F083EP64 ,  5F083EP68 ,  5F083EP77 ,  5F083ER02 ,  5F083ER09 ,  5F083ER11 ,  5F083ER30 ,  5F083GA05 ,  5F083GA21 ,  5F083HA02 ,  5F083JA04 ,  5F083MA03 ,  5F083MA06 ,  5F083MA20 ,  5F083PR21 ,  5F083ZA20 ,  5F083ZA21 ,  5F101BA45 ,  5F101BB02 ,  5F101BC11 ,  5F101BD07 ,  5F101BD15 ,  5F101BD33 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF03 ,  5F101BF05 ,  5F101BH02 ,  5F101BH26
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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