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J-GLOBAL ID:200903074766562786
浮遊トラップ型不揮発性メモリ素子
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
志賀 正武 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002188646
Publication number (International publication number):2003068897
Application date: Jun. 27, 2002
Publication date: Mar. 07, 2003
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 浮遊トラップ型メモリ素子も於いて、データ保持機能を強化するためトンネリング絶縁膜を厚くしても、消去動作が正確に行われるようにする。【解決手段】半導体基板10、基板上に形成されたゲート電極27、基板とゲート電極との間に順次に形成されたトンネリング絶縁膜20、電荷貯蔵層22、ブロッキング絶縁膜、ゲート電極の両側の基板に形成された不純物ドーピング層を含む。ブロッキング絶縁膜の誘電率がトンネリング絶縁膜の誘電率に比べて大きい高誘電膜を少なくとも一層含む。
Claim (excerpt):
半導体基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、前記基板と前記ゲート電極との間に順次に積層されたトンネリング絶縁膜、電荷貯蔵層、ブロッキング絶縁膜と、前記ゲート電極の両側の前記基板に形成された不純物ドーピング層とを含み、前記ブロッキング絶縁膜は誘電率が前記トンネリング絶縁膜の誘電率に比べて高い高誘電膜を少なくとも一層含むことを特徴とする不揮発性半導体メモリ素子。
IPC (4):
H01L 21/8247
, H01L 27/115
, H01L 29/788
, H01L 29/792
FI (2):
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
F-Term (24):
5F083EP17
, 5F083EP18
, 5F083EP48
, 5F083EP49
, 5F083EP76
, 5F083ER03
, 5F083ER11
, 5F083ER14
, 5F083GA01
, 5F083GA06
, 5F083GA21
, 5F083GA24
, 5F083JA02
, 5F083JA03
, 5F083JA04
, 5F083JA06
, 5F083JA14
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F101BA45
, 5F101BA47
, 5F101BB02
, 5F101BC02
, 5F101BD34
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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