半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：渡邉勇 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001337851
Publication number (International publication number)：2003133316
Application date： Nov. 02, 2001
Publication date： May. 09, 2003
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】埋め込み配線の露出表面を覆って保護する保護膜の膜厚の不揃いを改善して、多層配線化を図る際に、層間絶縁膜表面の十分な平坦度を確保できるようにする。また、絶縁膜上に保護膜形成用のめっき材が成膜されてしまうことを防止する。【解決手段】埋め込み配線構造を有する半導体装置の露出配線の表面に、無電界めっきで選択的に形成し、表面を平坦化したCo,Co合金,NiまたはNi合金の少なくとも一種からなる保護膜20を形成した。

Claim (excerpt)：

埋め込み配線構造を有する半導体装置の露出配線の表面に、表面を平坦化した保護膜を形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/3205 , C25D 7/12 , H01L 21/288 , C23C 18/31

FI (5)：

C25D 7/12 , H01L 21/288 E , H01L 21/288 Z , C23C 18/31 A , H01L 21/88 B

F-Term (68)：

4K022AA02 , 4K022AA37 , 4K022AA41 , 4K022BA04 , 4K022BA06 , 4K022BA14 , 4K022BA16 , 4K022BA24 , 4K022CA06 , 4K022CA21 , 4K022DA01 , 4K022EA04 , 4K024AA09 , 4K024AB03 , 4K024AB08 , 4K024AB15 , 4K024AB17 , 4K024BA01 , 4K024BA09 , 4K024BA11 , 4K024BB12 , 4K024BC10 , 4K024DB07 , 4K024GA16 , 4M104BB17 , 4M104BB32 , 4M104DD16 , 4M104DD22 , 4M104DD37 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD75 , 4M104EE05 , 4M104EE16 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH12 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH14 , 5F033HH15 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033JJ11 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ93 , 5F033RR04 , 5F033RR11 , 5F033WW04 , 5F033XX01 , 5F033XX20 , 5F033XX21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

基板メッキ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-205138 Applicant：株式会社荏原製作所
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-010324 Applicant：株式会社日立製作所
半導体ウェハおよび半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-329324 Applicant：日本電気株式会社

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