窒化膜の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998268068
Publication number (International publication number)：1999217673
Application date： Sep. 22, 1998
Publication date： Aug. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】化学的気相成長法により窒化膜を製造する方法において、毒性が少なく、充分に高い蒸気圧を有し、比較的に低温度で分解する窒素源の原料ガスを開発し、薄膜の高品質化、成長温度の低温化、成長速度の向上が計れる窒化膜の製造方法を提供する。【解決手段】 tert-ブチルヒドラジンを窒素源の主成分として含む原料ガスと、有機金属化合物、金属ハロゲン化物、または金属水素化物の原料ガスとを反応させることにより基板上に窒化膜を製造する。またtert-ブチルヒドラジンを窒素源の主成分として含む原料ガスを用いて、金属または金属酸化物の基板の表面を窒化させて窒化膜を製造する。

Claim (excerpt)：

化学的気相成長法により窒化膜を製造する方法において、tert-ブチルヒドラジンを窒素源の主成分として含む原料ガスと、有機金属化合物、金属ハロゲン化物、または金属水素化物の原料ガスとを反応させることにより基板上に窒化膜を堆積させることを特徴とする窒化膜の製造方法。

IPC (4)：

C23C 16/34 , H01L 21/205 , H01L 21/285 , H01L 21/318

FI (4)：

C23C 16/34 , H01L 21/205 , H01L 21/285 C , H01L 21/318 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

半導体発光素子の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-057690 Applicant：ローム株式会社
窒化タングステン膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-323696 Applicant：株式会社日立製作所
特開昭59-137453

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