Pat
J-GLOBAL ID：200903086021522942

半導体製造装置の制御方法

Inventor：
藤澤 忠仁

About 藤澤 忠仁

, 
浅野 昌史

About 浅野 昌史

, 
出羽 恭子

About 出羽 恭子


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001097115
Publication number (International publication number)：2002299205
Application date： Mar. 29, 2001
Publication date： Oct. 11, 2002
Summary：
【要約】【課題】プロセスの変動要因により生じるマージンの減少を抑える。【解決手段】レジストパターンが形成されたウェハの中から、ロット内の実効的な露光量変動及び、フォーカス変動をモニタするために十分な量のウェハを抽出する(ステップS108)。双方のモニタマークを露光したパターンを測定した(ステップS109)。これらの結果から、ロット内の各ウェハのフォーカス位置に依存しない実効的な露光量、及び、露光量に依存しない実効的なフォーカス位置が求められる(ステップS110)。求められた実効的な露光量及びフォーカス位置の少なくとも一方を用いて、次ロット以降のロットに対してフィードバックをかけて露光する(ステップS111)。
Claim (excerpt)：
露光装置によりマスク上の回路パターンをウェハ上に形成されたレジスト膜に転写してパターンを形成する際の露光量及びフォーカスの設定を行う半導体製造装置の制御方法において、前記マスクには、前記ウェハ上での実効的な露光量を検出するための露光量モニタマーク、及び前記ウェハ上での実効的なフォーカスを検出するためのフォーカスモニタマークの内、少なくとも一方を含むモニタマークが配置され、前記ウェハ上にレジスト膜を塗布する工程と、前記レジスト膜に対して第1の加熱処理を行う工程と、第1の加熱処理が行われたレジスト膜に対して第1の冷却処理を行う工程と、露光量及びフォーカス位置を所定の値に設定し、前記マスクを用いて第1の冷却処理が行われた前記レジスト膜に対して露光処理を行い、前記レジスト膜に、前記モニタマークに対応する潜像を形成する工程と、潜像が形成されたレジスト膜に対して第2の加熱処理を行う工程と、第2の加熱処理が行われたレジスト膜に対して冷却処理を行う工程と、第2の加熱処理が行われたレジスト膜を現像処理し、前記潜像に対応するモニタパターンを形成する工程と、露光処理後、第2の加熱処理後、第2の冷却処理中、第2の冷却処理後、現像処理中、及び現像処理後の少なくともどこか1ヶ所において、前記モニタパターンの状態を測定する計測工程と、測定されたモニタパターンの状態に基づいて、前記レジスト膜に対して行われた露光処理における、実効的な露光量及びフォーカス位置の少なくとも一方を求める工程と、求められた実効的な露光量及びフォーカス位置の何れか一方から、前記マスク用いて露光を行う際の最適な露光量値と前記設定値との差、並びに最適なフォーカス値と設定値との差の少なくとも一方を算出する演算工程と、算出された差に応じて、フォーカス位置の設定値、露光量の設定値、第1の加熱処理の加熱条件、現像処理における現像条件、露光処理が終了してから第2の加熱処理が行われるまでの引き置き時間、第2の加熱処理が終了してから第2の冷却処理が行われるまでの引き置き時間、第2の冷却処理が終了してから現像処理が開始されるまでの引き置き時間、レジスト膜の塗布が終了してから第1の加熱処理が開始されるまでの引き置き時間、第1の加熱処理が終了してから第1の冷却処理が行われるまでの引き置き時間、及び第1の冷却処理が終了してから露光が開始されるまでの引き置き時間の少なくとも1つを変更する工程とを含むことを特徴とする半導体製造装置の制御方法。
IPC (2)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/08
FI (3)：
G03F 1/08 M ,  H01L 21/30 516 D ,  H01L 21/30 526 Z
F-Term (16)：
2H095BE06 ,  2H095BE07 ,  5F046AA25 ,  5F046BA03 ,  5F046CB17 ,  5F046DA02 ,  5F046DA13 ,  5F046DA14 ,  5F046DA29 ,  5F046DD06 ,  5F046EA03 ,  5F046EA04 ,  5F046EB02 ,  5F046EC05 ,  5F046JA22 ,  5F046LA18
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
Show all
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM