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J-GLOBAL ID:200903086041511823
プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
浅井 章弘
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996130767
Publication number (International publication number):1997291366
Application date: Apr. 26, 1996
Publication date: Nov. 11, 1997
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 被処理体の面内にエリアを分けて時分割的に反応性ガスを供給することにより、高い真空引き効率を維持してプラズマ処理の面内均一性を確保する。【解決手段】 処理容器4内の処理空間にシャワーヘッド部30のガス噴出面34よりプラズマ発生用の不活性ガスと反応性ガスを供給して被処理体Wに対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、シャワーヘッド部のガス噴出面には、反応性ガスを噴出するために複数の群に分けられた反応性ガス噴出孔36A〜36Dと、不活性ガスを供給するためにガス噴出面の略全面に亘って配置された不活性ガス噴出孔38とが形成されており、反応性ガス噴出孔の各群にはガスの供給停止が独立的に制御可能な反応性ガス供給系48A〜48Dが接続されており、群毎の反応性ガス供給系には時分割で各群を走査するように供給・停止を制御するガス供給制御部60が接続されるように構成する。
Claim (excerpt):
処理容器内の処理空間にシャワーヘッド部のガス噴出面よりプラズマ発生用の不活性ガスと反応性ガスを供給して被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記シャワーヘッド部のガス噴出面には、反応性ガスを噴出するために複数の群に分けられた反応性ガス噴出孔と、不活性ガスを供給するために前記ガス噴出面の略全面に亘って配置された不活性ガス噴出孔とが形成されており、前記反応性ガス噴出孔の各群にはガスの供給停止が独立的に制御可能な反応性ガス供給系が接続されており、前記群毎の反応性ガス供給系には時分割で前記各群を走査するように供給・停止を制御するガス供給制御部が接続されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (7):
C23C 16/50
, C23C 14/34
, C23C 16/44
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
, H01L 21/203
FI (7):
C23C 16/50
, C23C 14/34 M
, C23C 16/44 D
, C23F 4/00 A
, H01L 21/205
, H01L 21/203 S
, H01L 21/302 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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薄膜形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-223587
Applicant:三洋電機株式会社
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成膜装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-134961
Applicant:東京エレクトロン株式会社
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プラズマCVD装置に用いる電極及びプラズマCVD装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-187738
Applicant:日新電機株式会社
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