高周波用パッケージ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000158825
Publication number (International publication number)：2001028413
Application date： Feb. 29, 1996
Publication date： Jan. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】アンテナ素子と高周波デバイスとを具備し、コンパクトでしかも量産が可能なマイクロ波またはミリ波等の高周波を用いたシステムに好適に使用可能な高周波用パッケージを提供する。【解決手段】第1の誘電体基板2にアンテナ素子3とアンテナ素子3に給電するための高周波線路4とを形成したアンテナ回路基板Aと、第2の誘電体基板7の一部にキャビティ8を形成し、キャビティ8内に高周波デバイス9を収納し、高周波デバイス9に信号を伝達するための伝送線路11を形成した高周波デバイス回路基板Bとを具備し、アンテナ回路基板Aと高周波デバイス回路基板Bとを積層一体化するとともに、アンテナ回路基板Aの高周波線路4と、高周波デバイス回路基板Bの伝送線路11とを接続した高周波用パッケージ1の第1の誘電体基板2の比誘電率を2〜10、第2の誘電体基板7の比誘電率を5〜50とする。

Claim (excerpt)：

第1の誘電体基板にアンテナ素子と該アンテナ素子に給電するための高周波線路とを形成したアンテナ回路基板と、第2の誘電体基板の一部にキャビティを形成し、該キャビティ内に高周波デバイスを収納し、且つ該高周波デバイスに信号を伝達するための伝送線路を形成した高周波デバイス回路基板とを積層一体化するとともに、前記アンテナ回路基板の高周波線路と、前記高周波デバイス回路基板の伝送線路とを接続した高周波用パッケージであって、前記第1の誘電体基板の比誘電率が2〜10、前記第2の誘電体基板の比誘電率が5〜50であることを特徴とする高周波用パッケージ。

IPC (7)：

H01L 23/12 301 , H01L 23/12 , H01L 23/02 , H01P 5/02 603 , H01P 5/08 , H01Q 13/08 , H01Q 23/00

FI (7)：

H01L 23/12 301 Z , H01L 23/02 H , H01P 5/02 603 , H01P 5/08 C , H01Q 13/08 , H01Q 23/00 , H01L 23/12 N

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

半導体装置用パツケージの入出力結合デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-245802 Applicant：住友電気工業株式会社
MMICパッケージ組立
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-056132 Applicant：本田技研工業株式会社
高周波気密モジュール
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-054158 Applicant：三菱電機株式会社

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Cited by examiner (1)

高周波用パッケージ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-042528 Applicant：京セラ株式会社

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