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J-GLOBAL ID：200903086147127020

投影電子ビーム・リソグラフィ・マスク

Inventor： キャメロン・ジェー・ブルックス ,  マイケル・ジェー・ラーセル ,  リン・エイ・パワーズ
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
Agent (1)： 坂口 博 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000370287
Publication number (International publication number)：2001189271
Application date： Dec. 05, 2000
Publication date： Jul. 10, 2001
Summary：

【要約】【課題】 イオン・ビームおよび/または投影電子ビーム・リソグラフィに使用する改良されたマスクを提供する。【解決手段】 投影電子ビームリソグラフィなど荷電粒子ビームリソグラフィと共に使用するステンシルまたは散乱体マスクは、少なくとも約400GPaのヤング率を有する材料の膜層と、膜の表面を支持する支持ストラットとを備える。ストラットは、集積回路の設計領域に位置合わせされる、異なる縦横比の複数の個別膜領域を形成して取り囲む。膜は、炭化珪素、ダイヤモンド、ダイヤモンドライク・カーボン、アモルファス・カーボン、窒化珪素、または窒化ホウ素であることが好ましい。このような膜材料は、ひずみが小さく、イメージ配置誤差を減少する。

Claim (excerpt)：

集積回路に対応するイメージをマスクから半導体基板上へフォトリソグラフィック転写するためのマスクであって、エネルギーに対して部分的に透明な膜の上面にあり、前記膜の内側領域内にあるパターン付けされた散乱または吸収層と、前記膜の外側領域を支持する周縁支持部と、前記膜の前記内側領域を支持する支持ストラットとを備え、前記ストラットが前記支持部に接続され、前記集積回路の主要設計要素に位置合わせされる、マスク。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16

FI (2)：

G03F 1/16 B ,  H01L 21/30 541 S

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• マスク用基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-056170   Applicant：株式会社ニコン
• X線マスクブランク及びその製造方法並びにX線マスクの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-034353   Applicant：ホーヤ株式会社
• 露光方法および露光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-006111   Applicant：株式会社日立製作所

Cited by examiner (3)

• マスク用基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-056170   Applicant：株式会社ニコン
• X線マスクブランク及びその製造方法並びにX線マスクの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-034353   Applicant：ホーヤ株式会社
• 露光方法および露光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-006111   Applicant：株式会社日立製作所