セラミック基板へのレーザー加工方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002086694
Publication number (International publication number)：2003285192
Application date： Mar. 26, 2002
Publication date： Oct. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】レーザー加工時に発生する溶融したセラミックスの飛着物がセラミック基板に付着することを防止するとともに、ヒュームの発生を抑え、かつレーザー加工後において余分な作業を発生させないようにする。【解決手段】セラミック基板1の加工表面にレーザー光を照射してレーザースクライブ、穴、溝等の加工を施す前に、上記加工表面に、澱粉を含有する溶剤を塗布し、余分な溶剤を飛ばして澱粉からなる保護膜2を被着するようにしてレーザー加工を行う。

Claim (excerpt)：

セラミック基板の加工表面に、澱粉を溶媒中に分散させた溶剤を塗布、乾燥させて澱粉からなる保護膜を被着した後、上記加工表面にレーザ光を照射して、レーザースクライブ、穴、溝等の加工を施すようにしたことを特徴とするセラミック基板へのレーザー加工方法。

IPC (3)：

B23K 26/18 , B23K 26/00 , C04B 41/91

FI (3)：

B23K 26/18 , B23K 26/00 G , C04B 41/91 E

F-Term (3)：

4E068CF03 , 4E068DA11 , 4E068DB12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭60-108193
分割溝を有するセラミック基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-029869 Applicant：京セラ株式会社
スクライブ形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-138356 Applicant：株式会社東芝

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