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J-GLOBAL ID：200903086330393324

位相シフトマスクを用いたパターンの形成方法

Inventor：
中尾 修治

About 中尾 修治


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996181300
Publication number (International publication number)：1998012543
Application date： Jun. 20, 1996
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：
【要約】【課題】 メモリデバイスのように密集したパターンにおいて、フォーカスが多少ずれても微細ホールパターンの形成を可能とする位相シフトマスクを用いたホールパターンの形成方法を提供する。【解決手段】 フォトレジストの所定領域に第1の露光を行なった後、第2の露光を行ない、その後現像が行なわれる。この第1および第2の露光を行なう際には、各々位相シフトマスクが用いられる。この位相シフトマスクは、互いに180°異なる位相を透過する2つの透過部の間に遮光膜3を有している。
Claim (excerpt)：
ウェハに塗布されたフォトレジストの所定領域に第1の位相シフトマスクを用いた第1の露光を行なった後、第2の位相シフトマスクを用いた第2の露光を行なうパターンの形成方法であって、前記第1の位相シフトマスクは、第1の方向に向かって互いに並走し、かつ互いに異なった位相で露光光を透過する第1および第2の光透過部を有する基板と、並走する前記第1および第2の光透過部の間に位置する遮光膜とを有し、前記第2の位相シフトマスクは、第2の方向に向かって互いに並走し、かつ互いに異なった位相で露光光を透過する第3および第4の光透過部を有する基板と、並走する前記第3および第4の光透過部の間に位置する遮光膜とを有し、前記第1の露光時の前記第1の位相シフトマスクの前記第1の方向と前記第2の露光時の前記第2の位相シフトマスクの前記第2の方向とが交差するように前記第1および第2の露光が行なわれる、位相シフトマスクを用いたパターンの形成方法。
IPC (4)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/20 521
FI (6)：
H01L 21/30 502 C ,  G03F 1/08 A ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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