半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：船橋國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998145538
Publication number (International publication number)：1999340321
Application date： May. 27, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】有機系の低誘電率膜から発生する脱離ガスにより、低誘電率膜もしくはその上の無機系絶縁膜に形成されるビアホールや配線溝への材料層の埋め込みに不良が発生していた。【解決手段】低誘電率膜16(22)上に無機系絶縁膜17(23)を備え、この無機系絶縁膜17(23)を少なくとも貫通するビアホールや配線溝からなる開口パターン18(24)が形成された半導体装置において、無機系絶縁膜17(23)を貫通する状態に形成されたダミー開口パターン19(25)を備えたものであり、ダミー開口パターン19(25)は開口パターン18(24)のパターン密度の低い領域に形成されているものである。

Claim (excerpt)：

低誘電率膜上に無機系絶縁膜を備え、該無機系絶縁膜を少なくとも貫通する開口パターンが形成された半導体装置において、前記無機系絶縁膜を貫通する状態に形成されたダミー開口パターンを備えたことを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭63-025952
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-137057 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-356969 Applicant：ソニー株式会社

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