窒化物系化合物半導体発光素子

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：滝本智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997087935
Publication number (International publication number)：1998284802
Application date： Apr. 07, 1997
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】結晶基板上に形成した窒化物系化合物半導体膜中で生じる欠陥成長およびクラック発生を抑制する。【解決手段】サファイア基板1上にn型GaNクラッド層2、n型InGaN活性層3、p型GaNクラッド層4、p型電極5を順次に積層形成する。また、n型GaNクラッド層2にn型電極6を形成する。サファイア基板1の膜厚を50μmとし、n型GaNクラッド層2の膜厚を60μmとすることにより、サファイア基板1の膜厚をn型GaNクラッド層2の膜厚より小さくする。

Claim (excerpt)：

結晶基板上またはこの結晶基板上に形成したバッファ層上に、Al(1-X)GaXN(0≦X≦1)で表される窒化物系化合物半導体膜を形成した窒化物系化合物半導体発光素子であって、前記結晶基板の膜厚が前記窒化物系化合物半導体膜の膜厚より小さいことを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-282223 Applicant：株式会社東芝
半導体用単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-092926 Applicant：三菱電線工業株式会社
特開平2-181914

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