SiC単結晶の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：広瀬章一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006286642
Publication number (International publication number)：2008100890
Application date： Oct. 20, 2006
Publication date： May. 01, 2008
Summary：

【課題】大口径、高品質SiC単結晶を安価に安定して連続成長させることができるSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】坩堝に収容されたSi合金の融液を溶媒とするSiC溶液に種結晶基板を接触させて基板上にSiCをエピタキシャル成長させる液相成長法によるSiC単結晶の製造において、種結晶基板としてサファイア結晶基板を使用する。溶媒は、Si-Al合金またはSi-Al-M合金(MはTi,Mn,Fe,Co,Cr,Cu及びVから選ばれた1種以上の添加元素)とする。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

坩堝に収容されたSi合金の融液を溶媒とするSiC溶液に種結晶基板を接触させて該基板上にSiCをエピタキシャル成長させる液相成長法によるSiC単結晶の製造方法であって、前記種結晶基板がサファイア結晶基板であり、前記Si合金が、Si-Al合金またはSi-Al-M合金(Mは、Ti,Mn,Fe,Co,Cr,Cu及びVから選ばれた1種以上の元素)である、ことを特徴とするSiC単結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/36 , C30B 19/04

FI (2)：

C30B29/36 A , C30B19/04

F-Term (23)：

4G077AA02 , 4G077BE08 , 4G077CG02 , 4G077CG07 , 4G077EC08 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EG02 , 4G077EG18 , 4G077EH08 , 4G077EJ02 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077QA04 , 4G077QA12 , 4G077QA29 , 4G077QA38 , 4G077QA52 , 4G077QA62 , 4G077QA71 , 4G077QA79 , 4G077RA03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

炭化珪素単結晶とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-105567 Applicant：住友金属工業株式会社
炭化珪素単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-304132 Applicant：住友金属工業株式会社
単結晶の製造方法および製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-418346 Applicant：住友金属工業株式会社

Cited by examiner (6)

特開昭61-291495
SiCエピタキシャル薄膜の多形制御の方法及び同方法で作製したSiCエピタキシャル薄膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-044966 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
単結晶の製造方法および製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-418346 Applicant：住友金属工業株式会社

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