Pat
J-GLOBAL ID:200903086538289253
半導体発光装置
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
松山 允之
, 日向寺 雅彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002207680
Publication number (International publication number):2004055632
Application date: Jul. 17, 2002
Publication date: Feb. 19, 2004
Summary:
【課題】高い光取り出し効率と、良好な生産性を有し、短波長においても高い輝度が得られる半導体発光装置を提供することを目的とする。【解決手段】実装部材(105)と、前記実装部材の上に設けられ、発光層(124)を有する半導体発光素子(102)と、前記半導体発光素子の周囲において前記実装部材の上に設けられ、前記発光層から放出される光を反射するフィラーを含有し、前記半導体発光素子の側面において前記発光層を実質的に覆わない樹脂層(200)と、を備えたことを特徴とする半導体発光装置を提供する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
実装部材と、
前記実装部材の上に設けられ、発光層を有する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子の周囲において前記実装部材の上に設けられ、前記発光層から放出される光を反射するフィラーを含有し、前記半導体発光素子の側面において前記発光層を実質的に覆わない樹脂層と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (3):
H01L33/00
, H01L23/29
, H01L23/31
FI (2):
H01L33/00 N
, H01L23/30 B
F-Term (30):
4M109AA02
, 4M109BA01
, 4M109BA04
, 4M109CA06
, 4M109DB07
, 4M109DB17
, 4M109EA10
, 4M109EB12
, 4M109EE13
, 4M109GA01
, 5F041AA04
, 5F041AA09
, 5F041AA11
, 5F041AA41
, 5F041AA43
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA14
, 5F041CA34
, 5F041CA82
, 5F041CA92
, 5F041DA02
, 5F041DA07
, 5F041DA17
, 5F041DA26
, 5F041DA44
, 5F041DB01
, 5F041DB03
, 5F041FF01
, 5F041FF11
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
-
半導体発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-089951
Applicant:松下電子工業株式会社
-
発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-084574
Applicant:日亜化学工業株式会社
-
発光素子とその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-249811
Applicant:日亜化学工業株式会社
-
発光ダイオード
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-313286
Applicant:日亜化学工業株式会社
-
発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-071623
Applicant:株式会社日本アレフ, 堀之内英, 小池康博, 越部茂
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