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J-GLOBAL ID：200903086549110891

ドライエッチング方法

Inventor： 山田 篤志 ,  菅原 岳 ,  横川 俊哉
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002026280
Publication number (International publication number)：2003229413
Application date： Feb. 04, 2002
Publication date： Aug. 15, 2003
Summary：

【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチングにおけるエッチングストップ層の開発が切望されている。また、ドライエッチング工程ではエッチングされた面にダメージが入ることがあり、これが素子の特性を劣化させる原因となっていることがあり、ダメージの無いあるいは少ないドライエッチング方法の開発が望まれている。【解決手段】 窒化物半導体においてInを含む層をエッチングストップ層として用い、塩素系のガスを含むエッチングガスによりドライエッチングを行う。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体においてInを含む層をエッチングストップ層として用い、塩素系のガスを含むエッチングガスによりドライエッチングを行うことを特徴とする窒化物半導体のドライエッチング方法。

IPC (5)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01S 5/323 610

FI (3)：

H01S 5/323 610 ,  H01L 21/302 A ,  H01L 29/80 H

F-Term (40)：

5F004DA04 ,  5F004DA05 ,  5F004DA11 ,  5F004DA13 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DB19 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F004EA10 ,  5F004EA23 ,  5F004EA28 ,  5F004EA34 ,  5F004FA07 ,  5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA22 ,  5F073DA24 ,  5F073EA29 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR10 ,  5F102GT03 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体のパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-130895   Applicant：日本電気株式会社
• III族窒化物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-055970   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-029977   Applicant：富士通株式会社
• ドライエッチング方法および半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-026279   Applicant：松下電器産業株式会社