半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：眞鍋潔 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000029977
Publication number (International publication number)：2001223353
Application date： Feb. 08, 2000
Publication date： Aug. 17, 2001
Summary：

【要約】【課題】半導体装置に関し、ノン・アロイ・オーミック・コンタクト電極を形成する必要があるGaAs系半導体装置に於いて、電極をコンタクトさせる半導体層のエッチングにドライ・エッチング法の適用を可能にしようとする。【解決手段】 GaAs基板1上に形成された半導体装置に於いて、エミッタ電極9がコンタクトする下地がn-GaAsNSb層8になっているので、塩素系ガスをエッチング・ガスとするドライ・エッチング法を適用してエッチングを行なっても、エッチング反応が阻害されるおそれは皆無である。

Claim (excerpt)：

GaAs系半導体基板上に形成された半導体装置に於いて、金属電極がコンタクトする下地がGaAsNSb層であることを特徴とする半導体装置。

IPC (8)：

H01L 29/43 , H01L 21/302 , H01L 29/205 , H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (6)：

H01L 29/205 , H01L 29/46 H , H01L 21/302 , H01L 29/72 , H01L 29/80 H , H01L 29/80 F

F-Term (43)：

4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104AA07 , 4M104BB11 , 4M104BB15 , 4M104BB28 , 4M104CC01 , 4M104DD28 , 4M104FF13 , 4M104GG06 , 4M104GG12 , 4M104HH14 , 4M104HH15 , 5F003BB08 , 5F003BC08 , 5F003BE01 , 5F003BE04 , 5F003BE08 , 5F003BF06 , 5F003BM02 , 5F003BP08 , 5F003BP12 , 5F003BP23 , 5F004AA16 , 5F004DA00 , 5F004DB19 , 5F004EB01 , 5F102FA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ05 , 5F102GK05 , 5F102GK06 , 5F102GL04 , 5F102GL07 , 5F102GM06 , 5F102GN04 , 5F102GN10 , 5F102GQ01 , 5F102GS01 , 5F102GT05 , 5F102HC15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-296210 Applicant：株式会社日立製作所
半導体レ-ザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-061418 Applicant：日本電気株式会社
ヘテロ・バイポーラ半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-216157 Applicant：富士通株式会社

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