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J-GLOBAL ID：200903086593883814

GaN系発光素子およびその作成方法

Inventor：
吉田 清輝

About 吉田 清輝


Applicant, Patent owner：
古河電気工業株式会社

About 古河電気工業株式会社


Agent (1)： 酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000138978
Publication number (International publication number)：2001320089
Application date： May. 11, 2000
Publication date： Nov. 16, 2001
Summary：
【要約】【課題】 GaNPやGaNAsを活性層とした良質なGaN系発光素子およびその作成方法を提供すること。【解決手段】 n型GaN層13上に積層されたp型GaN層14中にPをイオン注入し、その後加熱することによって、活性層となるGaNP層15を形成する。
Claim (excerpt)：
p型GaN系化合物半導体層と、前記p型GaN系化合物半導体層に接合されたn型GaN系化合物半導体層と、活性層として、前記p型GaN系化合物半導体層または前記n型GaN系化合物半導体層にAs(砒素)またはP(燐)をイオン注入した後に熱処理を施すことで形成されたGaNAs層またはGaNP層と、を備えて構成されたことを特徴とするGaN系発光素子。
FI (2)：
H01L 33/00 F ,  H01L 33/00 C
F-Term (6)：
5F041AA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA71 ,  5F041CA73 ,  5F041CB28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-028300   Applicant：古河電気工業株式会社
  • 特開平4-261044
  • 3族窒化物半導体平面発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-338503   Applicant：豊田合成株式会社
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