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J-GLOBAL ID：200903076576891638

半導体装置および半導体装置の製造方法

Inventor：
山崎 舜平

About 山崎 舜平


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999240758
Publication number (International publication number)：2000150906
Application date： Aug. 27, 1999
Publication date： May. 30, 2000
Summary：
【要約】【課題】 結晶性半導体膜を活性層に用いたボトムゲート型のTFTにおいて、ゲート配線による凹凸を平坦化する。【解決手段】 基板10上に、下地膜11、ゲート配線12、ゲート絶縁膜13が順次積層されている。ゲート絶縁膜13は、BCB、ポリイミド、アクリル等の絶縁性有機樹脂膜でなる平坦化膜13aと、絶縁性無機膜13bとの積層膜でなる。平坦化膜13aによりゲート絶縁膜13の表面が平坦化されるため、その表面に平坦な非晶質半導体膜15を形成することができる。よって、レーザ結晶化において、部分ごとに半導体膜15の焦点距離が異なることがないため、均一に結晶化することができる。また、ゲート配線12端部を厚い平坦化膜13aで被覆することができるので、ゲート絶縁膜13に電子やホールが注入されたり、ゲート絶縁膜13が静電破壊するのを防止できる。
Claim (excerpt)：
絶縁表面に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆って形成され、絶縁性有機樹脂でなる平坦化膜と絶縁性無機膜とでなる積層膜を有するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を覆う半導体層と、を有する半導体装置であって、前記半導体層は結晶性半導体膜で形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/1365 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/336
FI (5)：
H01L 29/78 619 A ,  G09F 9/30 338 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 Z ,  H01L 29/78 627 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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