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J-GLOBAL ID：200903087019592433

磁気記憶素子およびこの磁気記憶素子を備えた磁気メモリならびに磁気メモリの駆動方法

Inventor：
北 川 英 二

About 北 川 英 二

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吉 川 将 寿

About 吉 川 将 寿

, 
岸 達 也

About 岸 達 也

, 
與 田 博 明

About 與 田 博 明


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (5)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008287601
Publication number (International publication number)：2009093787
Application date： Nov. 10, 2008
Publication date： Apr. 30, 2009
Summary：
【課題】読み出し時に誤書き込みを防止することを可能にする。【解決手段】膜面に略垂直方向の磁化を有し磁化の向きが固着された磁化固着層と、膜面に略垂直方向の磁化を有し磁化の向きが可変の磁気記憶層と、磁化固着層と磁気記憶層との間に設けられたトンネルバリア層と、を備え、磁気記憶層に電流パルスを流してスピン偏極した電子を注入することにより磁気記憶層の磁化の向きが反転可能である磁気記憶素子を有するメモリセルを備えた磁気メモリの駆動方法であって、磁気記憶層に情報を書き込むための書き込み電流パルスの幅が、磁気記憶層から情報を読み出すための読み出し電流パルスの幅より大きく、かつ磁気記憶層の磁気異方性磁界Hkは50Oe〜5000Oeである。【選択図】図8
Claim (excerpt)：
膜面に略垂直方向の磁化を有し磁化の向きが固着された磁化固着層と、膜面に略垂直方向の磁化を有し磁化の向きが可変の磁気記憶層と、前記磁化固着層と前記磁気記憶層との間に設けられたトンネルバリア層と、を備え、前記磁気記憶層に電流パルスを流してスピン偏極した電子を注入することにより前記磁気記憶層の磁化の向きが反転可能である磁気記憶素子を有するメモリセルを備えた磁気メモリの駆動方法であって、 前記磁気記憶層に情報を書き込むための書き込み電流パルスの幅が、前記磁気記憶層から情報を読み出すための読み出し電流パルスの幅より大きく、かつ 前記磁気記憶層の磁気異方性磁界Hkは50Oe〜5000Oeであることを特徴とする磁気メモリの駆動方法。
IPC (4)：
G11C 11/15 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08
FI (4)：
G11C11/15 150 ,  G11C11/15 112 ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z
F-Term (32)：
4M119AA07 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD02 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE23 ,  4M119EE27 ,  4M119HH01 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB33 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BB51 ,  5F092BC03 ,  5F092BC07 ,  5F092BC31
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (7)
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