Pat
J-GLOBAL ID：200903087088722640

半導体量子ドット装置

Inventor：
河口 研一

About 河口 研一


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (2)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006007234
Publication number (International publication number)：2007194230
Application date： Jan. 16, 2006
Publication date： Aug. 02, 2007
Summary：
【課題】 特性の優れた半導体量子ドット装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体量子ドット装置は、主面の法線が、[001]方向から(001)面内で[1-10]方向に向かって傾斜した傾斜InP基板と、傾斜InP基板の主面上方に配置され、InAs1-xSbx(0<x<1)で形成された半導体量子ドットと、を有する。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
主面の法線が、[001]方向から(001)面内で[1-10]方向±45度未満の面内方向に向かって傾斜した傾斜InP基板と、 前記傾斜InP基板の主面上方に配置され、InAs1-xSbx(0<x<1)で形成された半導体量子ドットと、 を有する半導体量子ドット装置。
IPC (2)：
H01S 5/343 ,  H01L 29/06
FI (2)：
H01S5/343 ,  H01L29/06 601D
F-Term (9)：
5F173AA08 ,  5F173AA26 ,  5F173AF09 ,  5F173AG12 ,  5F173AH14 ,  5F173AP06 ,  5F173AQ13 ,  5F173AQ15 ,  5F173AR93
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 半導体量子ドット素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-371828   Applicant：富士通株式会社
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM