半導体量子ドット素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：高橋敬四郎 , 来山幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003371828
Publication number (International publication number)：2005136267
Application date： Oct. 31, 2003
Publication date： May. 26, 2005
Summary：

【課題】量子ドットのサイズを適切にし、量子ドットの有するエネルギ準位の準位間エネルギ、準位分布を最適化する。【解決手段】半導体量子ドット素子は、たとえばGaAsである閃亜鉛型結晶構造を有する半導体基板(1)と、前記半導体基板上方に配置され、Bi、またはTlを含んだIII-V族混晶半導体で形成された半導体量子ドット(5)と、を有する、またはInP基板と、前記InP基板上方に配置され、InAs1-xSbx(0<x<1)で形成された半導体量子ドットと、を有する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

閃亜鉛型結晶構造を有する半導体基板と、前記半導体基板上方に配置され、Bi、またはTlを含んだIII-V族混晶半導体で形成された半導体量子ドットと、を有する半導体量子ドット素子。

IPC (2)：

H01S5/343 , H01L29/06

FI (2)：

H01S5/343 , H01L29/06 601D

F-Term (4)：

5F073AA74 , 5F073AA75 , 5F073CA07 , 5F073CB02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-187920 Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (4)

半導体光素子とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-218739 Applicant：日本電信電話株式会社
量子ドットを備えた素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-371061 Applicant：富士通株式会社
量子ドットの作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-045342 Applicant：日本電気株式会社

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