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J-GLOBAL ID：200903027610117989

半導体量子ドット素子

Inventor： 江川 満 ,  河口 研一
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (2)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003371828
Publication number (International publication number)：2005136267
Application date： Oct. 31, 2003
Publication date： May. 26, 2005
Summary：

【課題】 量子ドットのサイズを適切にし、量子ドットの有するエネルギ準位の準位間エネルギ、準位分布を最適化する。【解決手段】 半導体量子ドット素子は、たとえばGaAsである閃亜鉛型結晶構造を有する半導体基板(1)と、前記半導体基板上方に配置され、Bi、またはTlを含んだIII-V族混晶半導体で形成された半導体量子ドット(5)と、を有する、またはInP基板と、前記InP基板上方に配置され、InAs1-xSbx(0 Claim (excerpt)：

閃亜鉛型結晶構造を有する半導体基板と、 前記半導体基板上方に配置され、Bi、またはTlを含んだIII-V族混晶半導体で形成された半導体量子ドットと、 を有する半導体量子ドット素子。

IPC (2)：

H01S5/343 ,  H01L29/06

FI (2)：

H01S5/343 ,  H01L29/06 601D

F-Term (4)：

5F073AA74 ,  5F073AA75 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-187920   Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (4)

• 半導体光素子とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-218739   Applicant：日本電信電話株式会社
• 量子ドットを備えた素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-371061   Applicant：富士通株式会社
• 量子ドットの作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-045342   Applicant：日本電気株式会社
• 面発光レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-307167   Applicant：科学技術振興事業団