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J-GLOBAL ID:200903087124309313

半導体装置、半導体レーザー、ジャイロ及びジャイロの操作方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 西山 恵三 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999295315
Publication number (International publication number):2001108447
Application date: Oct. 18, 1999
Publication date: Apr. 20, 2001
Summary:
【要約】【課題】 本発明は、レーザー光を光検出器に入射する際に生じていた結合損失、及び外部の反射点からのレーザーへの戻り光によって生じる雑音を、低減することが可能なジャイロ及びその操作方法を提供する。【解決手段】 本発明に係るジャイロは、互いに逆回りの周回状に光が伝搬するリング共振器型半導体レーザーを有し、ビート信号を検出する端子を有し、かつ、リング状の活性層を有することを特徴とする。
Claim (excerpt):
互いに逆回りの周回状に光が伝搬するリング共振器型半導体レーザーを有するジャイロであって、ビート信号を検出する端子を備え、かつ、該半導体レーザーの活性層がリング状であることを特徴とするジャイロ。
IPC (3):
G01C 19/66 ,  H01S 3/083 ,  H01S 5/12
FI (3):
G01C 19/66 ,  H01S 3/083 ,  H01S 5/12
F-Term (19):
2F105AA01 ,  2F105BB03 ,  2F105BB04 ,  2F105BB14 ,  2F105BB20 ,  2F105DD07 ,  5F072AB13 ,  5F072JJ20 ,  5F072LL07 ,  5F072LL16 ,  5F072LL20 ,  5F072RR01 ,  5F072YY12 ,  5F073AA66 ,  5F073BA09 ,  5F073CA04 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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