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J-GLOBAL ID：200903087213572621

半導体装置の形成方法

Inventor： グレゴー・ブラッケルマン ,  ラムナス・ベンカトラマン ,  マシュー・トーマス・ヘリック ,  シンディ・アール・シンプソン ,  ロバート・ダブリュ・フィオダリス ,  ディーン・ジェイ・デニング ,  アジェイ・ジェイン ,  クリスティアーノ・キャパソ
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大貫 進介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999205553
Publication number (International publication number)：2000049229
Application date： Jul. 21, 1999
Publication date： Feb. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】 従来技術に比して利点を提供する半導体装置における相互接続構造とその形成方法とを提供する。【解決手段】 相互接続部60が基板10上に形成される。ある実施例においては、粘着/バリア層81,銅合金シード層42および銅膜43が基板10上に堆積され、基板10がアニーリングされる。代替の実施例においては、銅膜が基板上に堆積され、銅膜がアニーリングされる。さらに別の実施例においては、粘着/バリア層81,シード層82,導電膜83および銅合金キャッピング膜84が基板10上に堆積され、相互接続部92を形成する。堆積およびアニーリングの段階は、共通の処理プラットフォーム上で実行することができる。

Claim (excerpt)：

半導体装置を形成する方法であって:基板(10)上にバリア層(41)を形成する段階;前記バリア層(41)上に銅合金を含むシード層(42)を形成する段階;前記シード層(42)上に導電膜(43)を形成する段階;および前記基板(10)をアニーリングする段階;によって構成されることを特徴とする方法。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/88 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 特開平2-143429
  
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-210624   Applicant：株式会社東芝
• 半導体素子とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-103283   Applicant：沖電気工業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-004004   Applicant：松下電子工業株式会社
• 特開平2-143429
  
• 特開平2-310393
  
• 特開昭58-045399