半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998004004
Publication number (International publication number)：1999204524
Application date： Jan. 12, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】導電率及びエレクトロマイグレーション耐性に優れた埋め込み配線を有する信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板101の上に堆積された層間絶縁膜102にコンタクトホール103及び配線用凹状溝104を形成した後、コンタクトホール103及び配線用凹状溝104の壁面に拡散防止膜となるTiN/Ti膜105を形成する。TiN/Ti膜105の上にスパッタ法によりCuにAgが含有された銅合金膜106を堆積した後、該銅合金膜106の上にCVD法又はメッキ法により銅膜107を堆積する。熱処理により銅合金膜106に含まれるAgを銅膜107に拡散させてCuにAgが含有されてなる銅合金膜を形成した後、該銅合金膜に対してCMP法を行なって、CuにAgが含有されてなる銅合金膜よりなるコンタクト及び埋め込み配線を同時に形成する。

Claim (excerpt)：

埋め込み配線を有する半導体装置であって、前記埋め込み配線は、CuにAg、Nb又はAl2O3が含有された銅合金よりなることを特徴とする半導体装置。

FI (2)：

H01L 21/88 M , H01L 21/88 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

銅系金属用研磨液および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-263613 Applicant：株式会社東芝
特開平2-143429
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-238355 Applicant：三菱電機株式会社

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