半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996335709
Publication number (International publication number)：1998173169
Application date： Dec. 16, 1996
Publication date： Jun. 26, 1998
Summary：

【要約】【課題】ゲート電極とゲート絶縁膜との界面の信頼性や制御性を向上させ、ゲート電極を精度よく加工することを可能とする。【解決手段】半導体基板21上のゲート絶縁膜22上に導電性金属酸化物膜23を形成する工程と、この導電性金属酸化物膜23上に金属膜24を形成する工程と、この金属膜24を導電性金属酸化物膜23に対して選択的にエッチングして導電性金属酸化物膜24を露出させる工程と、この露出した導電性金属酸化物膜23をゲート絶縁膜22に対して選択的にエッチングする工程とにより、MOSトランジスタのゲート電極を形成する。

Claim (excerpt)：

ゲート電極を導電性金属酸化物膜又は導電性金属酸化物膜及びこの上の金属膜からなる積層膜で構成したことを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開昭60-000734
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-054000 Applicant：沖電気工業株式会社
半導体記憶装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-116394 Applicant：日本電気株式会社

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