電界効果トランジスタ及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：片山修平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002206774
Publication number (International publication number)：2004055579
Application date： Jul. 16, 2002
Publication date： Feb. 19, 2004
Summary：

【課題】gmプロファイルを線型にして、第3次高調波歪み(IM3)を軽減した電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】所定の半導体層2上に形成され、不純物濃度が低い値から高い値へ変化するチャネル層3と、底面が前記所定の半導体層の上部に位置するソース領域6及びドレイン領域7とを有する。チャネル層3は、混晶比が小さい値から大きい値に変化する構成であってもよい。この構成により、半導体基板上に形成されたバッファ層などの前記所定の半導体層に影響されることなくgmプロファイルの線型性を実現することができ、第3次高調波歪み(IM3)が解消された電界効果トランジスタが実現できる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

所定の半導体層上に形成され、不純物濃度が低い値から高い値へ変化するチャネル層と、底面が前記所定の半導体層の上部に位置するソース領域及びドレイン領域と、を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (6)：

H01L21/338 , C23C14/24 , C23C16/44 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L29/812

FI (5)：

H01L29/80 Q , C23C14/24 S , C23C16/44 A , H01L21/203 M , H01L21/205

F-Term (53)：

4K029AA04 , 4K029AA24 , 4K029BA03 , 4K029BA10 , 4K029BA31 , 4K029BD01 , 4K029CA01 , 4K029CA10 , 4K029DB14 , 4K029EA00 , 4K030AA11 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030JA05 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB10 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC19 , 5F045AF04 , 5F045BB16 , 5F045CA06 , 5F045DA53 , 5F102FA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ05 , 5F102GK06 , 5F102GL04 , 5F102GL05 , 5F102GL15 , 5F102GL16 , 5F102GL17 , 5F102GM06 , 5F102GM07 , 5F102GM09 , 5F102GN05 , 5F102GR04 , 5F102HC01 , 5F102HC21 , 5F103AA05 , 5F103DD03 , 5F103GG01 , 5F103JJ01 , 5F103JJ03 , 5F103KK01 , 5F103KK07 , 5F103KK10 , 5F103LL08 , 5F103RR05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-019488 Applicant：住友電気工業株式会社
特開昭61-184887
電界効果型半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-037021 Applicant：三洋電機株式会社

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