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J-GLOBAL ID：200903087652585845

カーボンナノチューブ膜、カーボンナノチューブ膜含有SiC基板、カーボンナノチューブ膜体及びそれらの製造方法

Inventor：
永野 孝幸

About 永野 孝幸

, 
柴田 典義

About 柴田 典義


Applicant, Patent owner：
財団法人ファインセラミックスセンター

About 財団法人ファインセラミックスセンター


Agent (1)： 小島 清路
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001102357
Publication number (International publication number)：2002293523
Application date： Mar. 30, 2001
Publication date： Oct. 09, 2002
Summary：
【要約】【課題】 所定方向に配向するカーボンナノチューブ膜、カーボンナノチューブ膜含有SiC基板及びカーボンナノチューブ膜体、並びに大面積で且つ低コストでこれらを製造する方法を提供する。【解決手段】 本カーボンナノチューブ膜3は、基板1上に炭化珪素からなる多結晶膜2を形成させ、その後、炭化珪素多結晶膜2が形成された基板1を処理液に浸して炭化珪素多結晶膜2を基板から分離し、次いで真空中において分離された炭化珪素多結晶膜体2aを炭化珪素が分解して炭化珪素多結晶膜体の表面から珪素原子が失われる温度に加熱することにより、炭化珪素から珪素原子を除去して、炭化珪素結晶基部2bの表面から内部へ成長形成される多数のカーボンナノチューブからなる。
Claim (excerpt)：
基板上に炭化珪素からなる多結晶膜を形成させ、その後、該炭化珪素多結晶膜が形成された該基板を処理液に浸して該炭化珪素多結晶膜を該基板から分離し、次いで真空中において分離された炭化珪素多結晶膜体を炭化珪素が分解して該炭化珪素多結晶膜体の表面から珪素原子が失われる温度に加熱することにより、炭化珪素から珪素原子を除去して、該炭化珪素多結晶膜体の表面から内部へ成長形成される多数のカーボンナノチューブからなることを特徴とするカーボンナノチューブ膜。
IPC (5)：
C01B 31/02 101 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C23C 16/01 ,  C23C 16/42
FI (5)：
C01B 31/02 101 F ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C23C 16/01 ,  C23C 16/42
F-Term (17)：
4G046CA00 ,  4G046CB03 ,  4G046CC02 ,  4G046CC03 ,  4G046CC06 ,  4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA37 ,  4K030BB03 ,  4K030CA02 ,  4K030CA06 ,  4K030DA03 ,  4K030DA08 ,  4K030FA01 ,  4K030JA10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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