窒化物半導体レーザダイオード

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997036791
Publication number (International publication number)：1998233549
Application date： Feb. 21, 1997
Publication date： Sep. 02, 1998
Summary：

【要約】【目的】窒化物半導体レーザダイオードの放熱性を向上させ、しきい値の上昇の抑制、寿命特性の向上を達成させることである。【構成】同一面側に一対の正電極及び負電極を設けてなる窒化物半導体レーザダイオードにおいて、正電極及び負電極を有する面に正電極及び負電極を形成するのとは別に、放熱体に接触可能な形状で形成された窒化物半導体層を有してなる。

Claim (excerpt)：

同一面側に一対の正電極及び負電極を設けてなる窒化物半導体レーザダイオードにおいて、正電極及び負電極を有する面に正電極及び負電極を形成するのとは別に、放熱体に接触可能な形状で形成された窒化物半導体層を有してなることを特徴とする窒化物半導体レーザダイオード。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-022671 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体レーザおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-282411 Applicant：日本電信電話株式会社
窒化ガリウム系半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-004202 Applicant：日本電気株式会社

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