Pat
J-GLOBAL ID:200903088137774631
ガス警報器
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
榊原 弘造
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005351099
Publication number (International publication number):2007155501
Application date: Dec. 05, 2005
Publication date: Jun. 21, 2007
Summary:
【課題】不良品率を低減しつつ、低濃度から高濃度までCOを高分解能で検知し、感度の長期安定性を向上させ、製造コストを抑制する。【解決手段】薄膜状の支持膜10c,20cと、その外周部またはその両端部を支持するSi基板10a,20aと、支持膜10c,20cの上側に形成された薄膜ヒーター10e,20eと、薄膜ヒーター10e,20eを覆う電気絶縁膜10f,20fと、ドーパントを含むSnO2薄膜によって電気絶縁膜10f,20f上に形成されたガス感知膜10g,20gと、ガス感知膜10g,20gの抵抗を測定する電極10h,20hと、選択燃焼層10k,20kとを有する半導体式薄膜ガスセンサチップ10,20が複数設けられたガス警報器において、半導体式薄膜ガスセンサチップ10と半導体式薄膜ガスセンサチップ20とでガス感知膜10g,20gの抵抗のガス依存性を異ならせた。【選択図】図2
Claim (excerpt):
薄膜状の支持膜と、前記支持膜の外周部または前記支持膜の両端部を支持するためのSi基板と、前記支持膜の上側に形成された薄膜ヒーターと、前記薄膜ヒーターを覆うための電気絶縁膜と、ドーパントを含むSnO2薄膜によって前記電気絶縁膜上に形成されたガス感知膜と、前記ガス感知膜の抵抗を測定するための電極と、多孔質Al2O3微粉末担体粒子によって貴金属触媒を担持している選択燃焼層とを有する半導体式薄膜ガスセンサチップが複数設けられたガス警報器であって、一の半導体式薄膜ガスセンサチップのガス感知膜の抵抗のガス依存性と、他の半導体式薄膜ガスセンサチップのガス感知膜の抵抗のガス依存性とを異ならせたことを特徴とするガス警報器。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (13):
2G046AA11
, 2G046BA01
, 2G046BA09
, 2G046BB02
, 2G046BB08
, 2G046BE03
, 2G046DC09
, 2G046FB00
, 2G046FB02
, 2G046FE31
, 2G046FE36
, 2G046FE38
, 2G046FE39
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (12)
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ガスセンサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-105840
Applicant:大阪瓦斯株式会社
-
一酸化炭素センサ複合素子、一酸化炭素濃度計および一酸化炭素センサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-205538
Applicant:東京瓦斯株式会社, 矢崎総業株式会社
-
特開平4-015553
-
水素感知用酸化スズ薄膜センサおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-344102
Applicant:韓国ガス公社
-
ガスセンサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-188788
Applicant:株式会社リコー
-
複合ガスセンサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-169289
Applicant:エフアイエス株式会社
-
特開昭58-103654
-
ニオイ・センサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-165991
Applicant:能美防災株式会社
-
ガスセンサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-289566
Applicant:株式会社ミクニ, 大阪瓦斯株式会社
-
酸化錫ガスセンサーおよび製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-213039
Applicant:ビージーピーエルシー
-
水素ガスの高応答速度高感度検出方法及び同装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-165476
Applicant:三菱重工業株式会社
-
半導体薄膜ガスセンサー装置
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2006-506505
Applicant:サクミコーペラティバメッカニチイモラソチエタコーペラティバ
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Cited by examiner (12)
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特開平4-015553
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水素感知用酸化スズ薄膜センサおよびその製造方法
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Applicant:東京瓦斯株式会社, 矢崎総業株式会社
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Applicant:エフアイエス株式会社
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特開昭58-103654
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