Pat
J-GLOBAL ID:200903088301082185

位相シフトマスク及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 井桁 貞一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994317175
Publication number (International publication number):1996172044
Application date: Dec. 20, 1994
Publication date: Jul. 02, 1996
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】 ハーフトーン材料を用いた位相シフトマスクの欠陥を低減する【構成】 1)開口部3を有する半透過部材2が透明基板1上に被着されたハーフトーン位相シフトマスクにおいて,該開口部3内の透明基板1が所定の深さにエッチング除去され, 該開口部3と非開口部を透過する露光光の位相差がπになるように前記エッチング深さに応じて半透過部材2の厚さが調節されてなる位相シフトマスク,2)透明基板1上に半透過部材2を被着し,該半透過部材2をパターニングして開口部3を形成する工程と,次いで,該開口部3内の透明基板1を深さ方向に一部エッチング除去する工程とを有し,該開口部3と非開口部を透過する露光光の位相差がπになるように該半透過部材2の厚さと該エッチング深さを調節する位相シフトマスクの製造方法。
Claim (excerpt):
開口部を有する半透過部材が透明基板上に被着されたハーフトーン位相シフトマスクにおいて,該開口部内の透明基板が所定の深さだけエッチング除去され, 該開口部と非開口部を透過する露光光の位相差がπになるように前記エッチング深さに応じて半透過部材の厚さが調節されてなることを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (2):
H01L 21/027 ,  G03F 1/08
FI (2):
H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page