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J-GLOBAL ID:200903088325774150

大気圧低温プラズマ装置と表面処理方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 西澤 利夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004136549
Publication number (International publication number):2005322416
Application date: Apr. 30, 2004
Publication date: Nov. 17, 2005
Summary:
【課題】 大気圧下で低温のプラズマを安定に発生させ、しかも被処理物の形状、種類及び作業環境にとらわれることがないトーチ型の大気圧低温プラズマ装置とその利用方法を提供する。【解決手段】 誘電体が空隙を介して対向する内部と外部の二重管状体を構成し、少くともその一方の端部が外方に向けて開放されているトーチ型構造を有し、内部誘電体(1A)の内側と外部誘電体(2A)の外側の各々には電極(1B)(2B)が配置され、その一方が接地電極で、他方が高周波電源に接続されており、内部と外部の誘電体(1A)(2A)との間の空隙(3)には不活性ガスもしくはこれと反応性ガスとの混合ガスが流通され、前記高周波電源による高周波電圧の印加によって、二重管状体の開放端部より、大気圧下で生成された低温プラズマが噴出されることを特徴とする大気圧低温プラズマ装置とする。【選択図】 図5
Claim (excerpt):
誘電体が空隙を介して対向する内部と外部の二重管状体を構成し、少くともその一方の端部が外方に向けて開放されているトーチ型構造を有し、内部誘電体の内側と外部誘電体の外側の各々には電極が配置され、その一方が接地電極で、他方が高周波電源に接続されており、内部と外部の誘電体との空隙には不活性ガスもしくはこれと反応性ガスとの混合ガスが流通され、前記高周波電源による高周波電圧の印加によって、二重管状体の開放端部より、大気圧下で生成された低温プラズマが噴出されることを特徴とする大気圧低温プラズマ装置。
IPC (3):
H05H1/24 ,  C08J7/00 ,  C23C16/54
FI (4):
H05H1/24 ,  C08J7/00 306 ,  C08J7/00 ,  C23C16/54
F-Term (12):
4F073AA01 ,  4F073AA31 ,  4F073BA08 ,  4F073BA19 ,  4F073BB01 ,  4F073CA07 ,  4F073HA09 ,  4F073HA12 ,  4K030FA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA30
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (5)
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