半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：山田卓二 , 中野晴夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006013349
Publication number (International publication number)：2007194514
Application date： Jan. 23, 2006
Publication date： Aug. 02, 2007
Summary：

【課題】半導体ウエハを熱処理することによる半導体ウエハの反り量を低減した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】裏面電極を有する半導体装置の製造方法が、表面と裏面とを備える半導体ウエハを準備する工程と、半導体ウエハの裏面に第1金属層を形成し、熱処理により半導体ウエハと第1金属層との間にオーミック接合を形成する熱処理工程と、熱処理工程の後に、Niからなる第2金属層を、半導体基板の裏面上に形成する工程とを含む。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

裏面電極を有する半導体装置の製造方法であって、表面と裏面とを備える半導体ウエハを準備する工程と、該半導体ウエハの裏面に第1金属層を形成し、熱処理により該半導体ウエハと該第1金属層との間にオーミック接合を形成する熱処理工程と、該熱処理工程の後に、Niからなる第2金属層を、該半導体基板の裏面上に形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 29/739 , H01L 21/28

FI (3)：

H01L29/78 652L , H01L29/78 655A , H01L21/28 301R

F-Term (11)：

4M104AA01 , 4M104BB03 , 4M104CC01 , 4M104DD26 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD78 , 4M104FF13 , 4M104FF17 , 4M104HH15 , 4M104HH20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

特開平04-072764号公報

Cited by examiner (6)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-215579 Applicant：トヨタ自動車株式会社
半導体装置の電極形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-176870 Applicant：日本電装株式会社
特開昭54-016979

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