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J-GLOBAL ID:200903088336658896

有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000208014
Publication number (International publication number):2002025765
Application date: Jul. 10, 2000
Publication date: Jan. 25, 2002
Summary:
【要約】【課題】 本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子の上部に、ダークスポット成長を完全に抑制することが可能な膜厚まで形成でき、かつ緻密で外部からの水分、酸素等の侵入を防ぐことが可能な保護部を有する信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、素子上部に配置した保護部9をシリコン窒化酸化物8を含む2種以上の物質からなる積層構造体としたものである。この構成によって、応力により素子部を破壊することなく厚膜の保護部を簡単に形成することができ、外部からの水分、酸素等の侵入を完全に防止することが可能となる。
Claim (excerpt):
透明または半透明の基板上に、少なくとも正孔を注入する陽極と、発光領域を有する発光層と、電子を注入する陰極を備え、さらに上部に保護部を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記保護部が2種以上の材料からなる積層構造体であり、かつ前記保護部の少なくとも一部分にシリコン窒化酸化物が使用されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
IPC (7):
H05B 33/04 ,  C09K 11/06 602 ,  C09K 11/06 660 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/30 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14
FI (7):
H05B 33/04 ,  C09K 11/06 602 ,  C09K 11/06 660 ,  C23C 14/34 N ,  C23C 16/30 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A
F-Term (28):
3K007AB11 ,  3K007AB13 ,  3K007AB18 ,  3K007BB01 ,  3K007CA01 ,  3K007CA05 ,  3K007CA06 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EA01 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  3K007FA02 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA41 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC48 ,  4K029FA07 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030FA02 ,  4K030LA18
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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