半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：煤孫耕郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995136169
Publication number (International publication number)：1996306687
Application date： May. 10, 1995
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】絶縁膜中へ不純物拡散を抑制し、歩留まりと信頼性の高い絶縁膜を提供する。【構成】初期酸化膜(2)を極薄く成膜し、続けて窒化姓の雰囲気で熱処理を行い、窒化酸化膜(3)、(4)を形成する。再び酸化性の雰囲気で熱処理を行い、窒化酸化膜(4)の窒素原子を外方拡散させ、更に窒化酸化膜(3)の内側に厚い酸化膜(5)を形成するもので、シリコン絶縁膜が半導体基板上の厚い下部酸化膜及びその上の前記酸化膜より薄い窒化膜または窒化酸化膜よりなる二層構造あるいは、さらにその上部の薄い酸化膜よりなる三層構造である半導体装置である。

Claim (excerpt)：

シリコン半導体基板上にシリコン絶縁膜を有する半導体装置において、シリコン絶縁膜が半導体基板上の厚い下部酸化膜及びその上の前記酸化膜より薄い窒化膜または窒化酸化膜よりなる二層構造であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/318 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (2)：

H01L 21/318 C , H01L 29/78 301 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平4-251938
IC製造のためのオキシナイトライド誘電体プロセス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-052372 Applicant：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
特表昭56-501146

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