組成勾配を有する金属メタロイド酸化物および窒化物の堆積方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石田敬 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001111503
Publication number (International publication number)：2002033317
Application date： Apr. 10, 2001
Publication date： Jan. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】電子材料の基体上に、金属およびメタロイドの組成勾配を層中に有する多数の金属およびメタロイド化合物層を堆積させる方法を提供する。【解決手段】 a)2つ以上の金属リガンドおよびメタロイドリガンド複合体前駆体を供給すること;b)該前駆体を該基体が配置されている堆積帯域に送り出すこと;c)堆積条件下で該基体を該前駆体と接触させること;d)該堆積条件の温度を、該接触の間に、第1の温度から、該第1の温度より少くとも40°C異なる第2の温度に変動させること、ならびにe)多くの金属およびメタロイド化合物層を該前駆体から該基体上に堆積させ、段階dの結果として該層中に金属およびメタロイドの該組成勾配を生じさせる。

Claim (excerpt)：

電子材料の基体上に、金属およびメタロイドの組成勾配を層中に有する多数の金属およびメタロイド化合物層を堆積させる方法であり:a)2つ以上の金属リガンドおよびメタロイドリガンド複合体前駆体を供給すること;b)該金属リガンドおよびメタロイドリガンド複合体前駆体を該基体が配置されている堆積帯域に送り出すこと;c)堆積条件下で該基体を該金属リガンドおよびメタロイドリガンド複合体前駆体と接触させること;d)該堆積条件の温度を、該接触の間に、第1の温度から、該第1の温度より少くとも40°C異なる第2の温度に変動させること、ならびにe)多くの金属およびメタロイド化合物層を該金属リガンドおよびメタロイドリガンド複合体前駆体から該基体上に堆積させ、段階d)の結果として該層中に金属およびメタロイドの該組成勾配を生じさせること、を含んでなる方法。

IPC (5)：

H01L 21/316 , C23C 16/34 , C23C 16/40 , H01L 21/318 , H01L 21/768

FI (5)：

H01L 21/316 B , C23C 16/34 , C23C 16/40 , H01L 21/318 B , H01L 21/90 L

F-Term (36)：

4K030AA02 , 4K030AA05 , 4K030AA11 , 4K030AA12 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA17 , 4K030BA22 , 4K030BA25 , 4K030BA26 , 4K030BA29 , 4K030BA33 , 4K030BA38 , 4K030BA42 , 4K030BB00 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 5F033RR03 , 5F033RR05 , 5F033RR07 , 5F033SS01 , 5F033SS13 , 5F033XX33 , 5F058BC03 , 5F058BC09 , 5F058BD05 , 5F058BD12 , 5F058BF02 , 5F058BF20 , 5F058BF41 , 5F058BF46 , 5F058BH03 , 5F058BH04 , 5F058BJ01 , 5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開昭48-034798
高誘電率薄膜構造、高誘電率薄膜形成方法および高誘電率薄膜形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-025245 Applicant：三菱電機株式会社

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