ケイ素化ルテニウム拡散バリアー層及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石田敬 (外4名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000568108
Publication number (International publication number)：2002524847
Application date： Aug. 10, 1999
Publication date： Aug. 06, 2002
Summary：

【要約】表面(12)を有する基材アセンブリ(11)を提供することを含む、集積回路製造で使用する方法。表面(12)の少なくとも一部の上に、拡散バリアー層(13)を作る。この拡散バリアー層(13)は、RuSix(xは約0.01〜約10)でできている。このバリアー層は、化学気相堆積によるRuSixの堆積によって作ること、又はケイ素含有領域に関してルテニウム層を作り、焼きなまし処理を行って、このルテニウム層及びケイ素含有領域からRuSix層を作ることによって得ることができる。キャパシター電極、相互接続、又は他の構造体を、そのような拡散バリアー層で作ることができる。

Claim (excerpt)：

表面を有する基材アセンブリを提供し、前記表面の少なくとも一部の上に、RuSix(xは約0.01〜約10)でできている拡散バリアー層を形成する、ことを含む、集積回路の製造で使用する方法。

IPC (8)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 21/768 , H01L 21/8242 , H01L 21/8244 , H01L 27/105 , H01L 27/108 , H01L 27/11

FI (8)：

H01L 21/28 301 S , H01L 21/88 Q , H01L 21/90 C , H01L 27/10 381 , H01L 27/10 621 C , H01L 27/10 621 Z , H01L 27/10 444 B , H01L 27/10 651

F-Term (61)：

4M104AA01 , 4M104BB19 , 4M104CC01 , 4M104DD07 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104DD78 , 4M104DD79 , 4M104EE08 , 4M104EE09 , 4M104FF13 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG16 , 4M104GG19 , 4M104HH05 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH25 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033PP02 , 5F033PP03 , 5F033PP04 , 5F033PP06 , 5F033PP09 , 5F033PP12 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033RR03 , 5F033VV10 , 5F033VV16 , 5F033WW00 , 5F033WW02 , 5F033WW03 , 5F033XX28 , 5F083AD31 , 5F083GA25 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083MA03 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083PR21 , 5F083PR33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平3-257857
特開平3-087055
電界効果型トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-009579 Applicant：シャープ株式会社

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