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J-GLOBAL ID：200903088776514535

半導体レーザ及びその製造方法

Inventor：
中村 亮

About 中村 亮

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渡辺 康弘

About 渡辺 康弘

, 
冨田 一義

About 冨田 一義


Applicant, Patent owner：
豊田合成株式会社

About 豊田合成株式会社

, 
株式会社豊田中央研究所

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Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004104805
Publication number (International publication number)：2005294394
Application date： Mar. 31, 2004
Publication date： Oct. 20, 2005
Summary：
【課題】端面発光型半導体レーザにおいて、導波路内に結晶欠陥を発生させることなく、有効な端面窓構造を形成すること。【解決手段】図2に示す高さHや高さhの段差は十分に大きく確保されているので、この凸部の上に結晶成長される半導体層に付いては何れも、共振器の中央部(2つの凸部間の凹部)よりも薄く積層される。また、この傾向は、少なくとも活性層106を形成し終わるまで続く。その結果、共振器の出射端面付近には、量子サイズ効果に基づいてバンドギャップエネルギーが共振器の中央部よりも十分に大きく確保された窓構造を形成することができる。また、エッチングダメージを有するエッチング面と導波路を構成する半導体層との間にn型クラッド層104を配置した。これにより、エッチング面上に残るダメージが導波路の結晶品質に対して悪影響を与えることを緩和または払拭することができた。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
結晶成長基板の結晶成長面上に活性層を含む半導体層が積層された端面発光型の半導体レーザであって、 直上に前記活性層が積層された結晶成長面において、共振器の光出射端面が形成される部位に、前記活性層側に突き出した凸部を有し、 前記凸部の上方における前記活性層の量子井戸層のバンドギャップエネルギーが、前記凸部の上方以外における前記活性層の量子井戸層のバンドギャップエネルギーよりも大きい ことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2)：
H01S5/343 ,  H01S5/16
FI (2)：
H01S5/343 610 ,  H01S5/16
F-Term (14)：
5F173AB72 ,  5F173AF03 ,  5F173AF13 ,  5F173AF32 ,  5F173AF52 ,  5F173AF72 ,  5F173AH04 ,  5F173AJ04 ,  5F173AJ13 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AR12 ,  5F173AR82 ,  5F173AR92
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (3)
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-132818   Applicant：古河電気工業株式会社
  • 半導体発光装置とその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-313942   Applicant：ソニー株式会社
  • 特開平4-225586

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