半導体発光装置とその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松隈秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997313942
Publication number (International publication number)：1999150320
Application date： Nov. 14, 1997
Publication date： Jun. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】窓構造を有する半導体発光装置の製造の煩雑さ、量産性の問題、信頼性の問題を解決する。【解決手段】半導体基体1上に、少なくとも第1導電型のクラッド層2と、量子井戸構造を有する活性層4と、第2導電型のクラッド層6を有する半導体層8を有し、光共振器の共振器長方向の両端面が劈開面によって形成された構成とし、その半導体層8の成長膜厚が、この半導体層の面方向に、相対的に膜厚の小さい領域と、大きい領域とが選択的に作り込まれた構成とする。そして、光共振器の共振器長方向の両端部にその両端面に臨んで、膜厚の小さい領域12が形成され、光共振器の中央領域に膜厚が大きい領域11が形成された構成とする。

Claim (excerpt)：

基体上に、少なくとも第1導電型のクラッド層と、量子井戸構造を有する活性層と、第2導電型のクラッド層を有する半導体層を有し、光共振器の共振器長方向の両端面が劈開面によって形成され、上記半導体層の成長膜厚が、該半導体層の面方向に、相対的に膜厚の小さい領域と、大きい領域とが選択的に作り込まれ、上記光共振器の共振器長方向の両端部にその両端面に臨んで、上記膜厚の小さい領域が形成され、上記光共振器の中央領域に上記膜厚が大きい領域が形成されて成ることを特徴とする半導体発光装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平3-297187
半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-354578 Applicant：三菱電機株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-132818 Applicant：古河電気工業株式会社

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