III族窒化物系化合物半導体発光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998358549
Publication number (International publication number)：2000183400
Application date： Dec. 17, 1998
Publication date： Jun. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】高光度かつ高耐久性の発光素子を提供し、且つ電極部分の構成を簡略化すること。【解決手段】フリップチップ型のIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、p型半導体層に接続され、光をサファイア基板側へ反射する多重厚膜正電極120を、ロジウム(Rh)、白金(Pt)、または、これらの合金より成る第1金属層11、金(Au)から成る第2金属層112、チタン(Ti)又はクロム(Cr)から成る第3金属層113の構成とする。これにより、高反射率の正電極が得られる。この多重厚膜正電極120は、水分等の浸入があっても腐食されないため、耐久性に優れる。よって保護層130の覆う面積を小さくすることができるので、電極部分の構成を簡略化することができ、ワイヤボンディングの不要な発光素子を提供することができる。

Claim (excerpt)：

基板上にIII族窒化物系化合物半導体から成る層が積層されたフリップチップ型の発光素子であって、p型半導体層上にその大部分を覆うよう形成された、光を前記基板側へ反射する多重厚膜正電極を有するIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、前記多重厚膜正電極の前記p型半導体層に接する第1金属層をロジウム(Rh)、白金(Pt)、又は、これらの金属を少なくとも1種類以上含んだ合金より形成したことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 E

F-Term (13)：

5F041AA04 , 5F041CA02 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA13 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA57 , 5F041CA83 , 5F041CA85 , 5F041CA92 , 5F041CB15 , 5F041DA09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-244322 Applicant：株式会社東芝
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-011221 Applicant：ローム株式会社
半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-341612 Applicant：株式会社東芝

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