マスク修正方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：菅野中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998006713
Publication number (International publication number)：1999202475
Application date： Jan. 16, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】マスクの黒欠陥(遮光部が大きくなった欠陥:凸欠陥,開口部のつぶれ等)によって半導体基板上に転写されるマスク像の寸法を調整する。【解決手段】黒欠陥(遮光部が大きくなった欠陥:凸欠陥,開口部のつぶれ等)の修正において、欠陥の生じた補助パターンの寸法を大きくなるように修正し、その修正後の寸法より適切な透過率を計算し、修正部の透過率を低下させることにより、半導体基板上に転写されるマスク像の寸法を目的の値となるように修正する。

Claim (excerpt)：

遮光領域と透明領域が形成された透過型マスクの黒欠陥のマスク修正方法であって、前記黒欠陥部の遮光領域を設計寸法より小さくなるように修正し、その後に修正個所寸法を測定し、修正個所の転写像が本来の欠陥がない場合の転写像になるように修正部近傍の透明領域の透過率を低下させることを特徴とするマスク修正方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (2)：

G03F 1/08 W , H01L 21/30 502 W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平3-139647
マスクパターンの欠陥修正方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-331251 Applicant：ホーヤ株式会社
特開平2-046459

Show all

Return to Previous Page