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J-GLOBAL ID：200903089197536094

エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法

Inventor： ウォン-ジュ チョ ,  ヒュン-スク シム ,  ヨウン-クク チャ
Applicant, Patent owner： ヒュンダイ エレクトロニクス インダストリーズ カンパニー リミテッド
Agent (1)： 笹島 富二雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000373456
Publication number (International publication number)：2001210650
Application date： Dec. 07, 2000
Publication date： Aug. 03, 2001
Summary：

【要約】【課題】単結晶シリコンウェーハ基板にOSFリングを形成させないで結晶構造の均一性を向上させ、シリコンエピタキシャル層内の金属汚染物を除去でき、エピタキシャルシリコンウェーハの製造時間を短縮し、生産単価を低減し得るエピタキシャルシリコンウェーハ製造方法を提供する。【解決手段】種結晶53の引き上げ速度及び単結晶シリコン鋳塊55の冷却速度を調節して、単結晶シリコン鋳塊55を成長させる段階と、単結晶シリコン鋳塊55をスライシング、ラッピング及び研磨処理を施して単結晶シリコンウェーハ基板100を製造する段階と、単結晶シリコンウェーハ基板100を洗浄し、水素熱処理を施す段階と、水素熱処理された単結晶シリコンウェーハ基板100の上面にシリコンエピタキシャル層200を形成する段階と、を包含して行う。

Claim (excerpt)：

種結晶の引き上げ速度及び単結晶シリコン鋳塊の冷却速度を調節して、単結晶シリコン鋳塊を成長させる段階と、前記単結晶シリコン鋳塊に対してスライシング、ラッピング及び研磨処理を施して、単結晶シリコンウェーハ基板を製造する段階と、前記単結晶シリコンウェーハ基板を洗浄し、水素熱処理を施す段階と、前記水素熱処理された単結晶シリコンウェーハ基板の上面にシリコンエピタキシャル層を形成する段階と、を包含して行うことを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/324 ,  C30B 29/06 ,  C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06 504 ,  H01L 21/265

FI (6)：

H01L 21/324 X ,  C30B 29/06 A ,  C30B 29/06 B ,  C30B 29/06 502 J ,  C30B 29/06 504 F ,  H01L 21/265 W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 薄膜エピタキシャルウェーハの製造方法およびこの方法により製造された薄膜エピタキシャルウェーハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-282747   Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社
• エピタキシャルシリコン基板及び固体撮像装置並びにこれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-064781   Applicant：ソニー株式会社
• シリコン単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-148939   Applicant：住友シチックス株式会社