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J-GLOBAL ID:200903089444592920
半導体基板の裏面研削方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007206226
Publication number (International publication number):2009039808
Application date: Aug. 08, 2007
Publication date: Feb. 26, 2009
Summary:
【課題】 半導体基板の裏面エッジ部の面取り加工と、裏面の平面研削加工が1台の裏面研削装置でフットプリントを増加させることなく実施させる装置の提供。【解決手段】 基板ホルダーテーブルの上方に昇降可能に設けた研削砥石軸を備える裏面研削装置1を用い、基板ホルダーテーブルHを搭載するスライドウエイSbをリニアガイドウエイGb上で直線移動させてエッジ研削ステージSe位置に基板ホルダーテーブルを移動させてエッジ研削を行う。さらに、前記基板ホルダーテーブルHを研削砥石軸下方向に直線移動させて裏面研削ステージSbgに基板ホルダーテーブル位置を移動させ、裏面研削を行う。【選択図】 図3
Claim (excerpt):
リニアガイドウエイ上を往復移動可能なスライドウエイに1台の基板ホルダーテーブルを搭載し、この基板ホルダーテーブルの回転軸心を含む該基板ホルダーテーブル進退方向垂直面と1基の研削砥石軸心を含む垂直面が一致するよう前記基板ホルダーテーブルの上方に昇降可能に設けた研削砥石軸を備える裏面研削装置を用い、次の工程を経て半導体基板の裏面研削加工を行うことを特徴とする半導体基板の裏面研削方法。
(1)基板ホルダーテーブル上に半導体基板裏面を上向きに載置する。
(2)前記ホルダーテーブルを研削砥石軸下方向に直線移動させて基板ホルダーテーブル上に載置された半導体基板の外周縁部の垂直面と研削砥石の外周縁部の垂直面とが0.5〜3mm幅重なり合う位置に基板ホルダーテーブル位置を移動させる。
(3)この基板ホルダーテーブルの回転軸を回転させるとともに、前記研削砥石軸を回転させつつ下降させて研削砥石を半導体基板の外周縁部で摺擦させて前記基板ホルダーテーブル上に載置された半導体基板の裏面外周縁部を面取りするエッジ研削加工を行う。
(4)エッジ研削加工後、前記研削砥石軸を上昇させる。
(5)外周縁部が面取りされた半導体基板を載置する前記基板ホルダーテーブルを更に研削砥石軸下方向に直線移動させて半導体基板の中心点を経過する垂直面と前記研削砥石の外周を含む垂直面が一致する位置に基板ホルダーテーブル位置を移動させる。
(6)前記基板ホルダーテーブルの回転軸を回転させるとともに、前記研削砥石軸を回転させつつ下降させて前記半導体基板の中心点部を通る位置で前記研削砥石を摺擦させて前記基板ホルダーテーブル上に載置された半導体基板の裏面を平面研削加工する。
(7)平面研削加工後、前記研削砥石軸を上昇させる。
IPC (4):
B24B 7/22
, B24B 1/00
, B24B 9/00
, H01L 21/304
FI (5):
B24B7/22 Z
, B24B1/00 F
, B24B9/00 601H
, H01L21/304 631
, H01L21/304 621E
F-Term (6):
3C043BB00
, 3C043CC04
, 3C049AA04
, 3C049AA16
, 3C049CA01
, 3C049CB08
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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平面加工装置及び平面加工方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-321432
Applicant:株式会社東京精密
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平面加工装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-066842
Applicant:株式会社東京精密
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基板の研削装置および研削方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-363875
Applicant:株式会社ディスコ
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米国特許第5295331号明細書
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ウエーハの研削方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-295786
Applicant:株式会社ディスコ
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